算力升级倒逼供电革新 安世中国卡位 AI 供配电赛道

　　随着 AI 算力规模持续扩张，单机柜功率等级正从传统 20kW 向 100kW 至 1MW 提升，数据中心供配电系统迎来结构性变革，成为算力稳定落地的关键基础设施。供电电压由 12V 逐步升级至 48V，并向 800V 高压直流演进，可显著降低线路损耗与线缆重量;电源转换效率目标提升至 98%，电网到芯片之间多达 5 至 6 次电能转换，每一级损耗都直接影响数据中心运营成本。业内供配电架构正由传统多级交流配电、48V 架构，向 MVR+800V 过渡，SST+800V 被视作中长期方案，依托 SiC 高频隔离技术，系统效率可达 98.5%，预计 2027 年实现商用。

　　算力基础设施升级带动功率半导体价值量提升。测算显示，全球约 2000 万台 AI 服务器，单台配置 2 个电源模块，对应电源 MOSFET 市场规模约 5 亿颗。安世中国瞄准 AI 供配电赛道，定位 “AIDC 半导体能源基座领导者”，打造全链路半导体产品矩阵。企业 MOSFET 产品年出货超 8500 万颗，在服务器电源次级同步整流、OR-ing 保护领域具备领先优势;同时布局 SiC 模块、IGBT 器件，SiC 模块适配 SST 固态变压器整流、隔离、输出全环节，650V/1200V 等级 IGBT 为 800V 高压直流方案储备技术，计划 2027 年推出 SiC 模块样品。

　　依托 12 英寸自研工艺平台，安世中国同步布局逻辑、驱动、保护及小信号器件，覆盖电源控制、功率转换、电路保护等环节，可为 AI 服务器电源厂商提供一站式器件选型方案，帮助客户简化供应链管理，提升方案验证效率，增强国产供应链交付稳定性。

　　当前 AI 供配电赛道迎来 “算力增长、单机价值抬升、国产替代” 三重利好。随着 800V 高压架构普及，SiC、IGBT、高压 MOSFET 等器件单机用量持续增长。在全球供应链重构背景下，具备完整产品线、自主工艺平台和稳定交付能力的本土半导体企业迎来结构性机遇。安世中国坚持本土研发，夯实功率器件、逻辑器件产品能力，持续为 AI 算力基础设施提供半导体支撑。

责任编辑：贺国华